申请/专利权人：华润微电子(重庆)有限公司

申请日：2019-07-25

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN112363037B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要：本发明提供一种场效应晶体管极限性能验证电路、系统及方法，包括：驱动模块，用于提供待测场效应晶体管的驱动信号；连接于所述待测场效应晶体管的高压端的功率模块及测试模块，功率模块用于提供测试需要的高压端电压及高压端电流，测试模块用于获取测试参数；功率模块包括串联的恒流源与开关，电容并联于恒流源与开关的串联结构两端，电感的一端连接电容的上极板，另一端连接待测场效应晶体管。本发明成本低廉，结构简单，操作方便，可实现对器件雪崩性能，大电流高压快速关断以及大电流关断极限性能的测试评估，覆盖范围广，寄生参数对漏极电压的影响小，且电流可设定。

主权项：1.一种场效应晶体管极限性能验证方法，基于场效应晶体管极限性能验证电路实现，所述场效应晶体管极限性能验证电路至少包括：驱动模块、功率模块及测试模块，所述驱动模块用于提供待测场效应晶体管的驱动信号；所述功率模块及所述测试模块均连接于所述待测场效应晶体管的高压端，所述功率模块用于为所述待测场效应晶体管提供测试需要的高压端电压及高压端电流，所述测试模块用于获取所述待测场效应晶体管的测试参数；其中，所述功率模块包括恒流源、开关、电容及电感；所述恒流源与所述开关串联，所述电容并联于所述恒流源与所述开关的串联结构的两端；所述电感的一端连接所述电容的上极板，另一端连接所述待测场效应晶体管；所述恒流源通过所述开关向所述电容充电，并在充电结束后断开所述开关基于所述电容为所述待测场效应晶体管供电，其特征在于，所述场效应晶体管极限性能验证方法至少包括：基于测试需要的待测场效应晶体管的高压端电压设置恒流源的最高电压，并基于所述恒流源向电容充电，充电结束后基于所述电容为所述待测场效应晶体管供电；产生驱动信号并逐渐增加所述驱动信号的脉冲宽度，流经所述待测场效应晶体管的电流随脉冲宽度增加而增大，直到所述待测场效应晶体管击穿损坏，基于损坏前的所述高压端电压及流经所述待测场效应晶体管的电流得到所述待测场效应晶体管的雪崩极限性能。

全文数据：

权利要求：

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