申请/专利权人：湖北月照松电控系统有限公司

申请日：2023-08-07

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN220552939U

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G01R31/52;G01R19/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权

摘要：本实用新型涉及一种基于VDS退饱和检测和DIDT检测的复合检测电路，旨在解决VDS退饱和检测需要设置检测盲区，即消隐时间，防止正常开通时误触发保护；及didt检测不能快速可靠的检测负载短路故障的问题，用于对包括MOS管Q2的碳化硅模块进行短路检测，MOS管Q2的源极上存在寄生电感LSS；复合检测电路包括：与门U4、触发器U5、VDS退饱和检测电路和DIDT检测电路，DIDT检测电路的输出端连接在与门U4的一个输入端上，VDS退饱和检测电路的输出端连接在与门U4的另一个输入端上，与门U4的输出端连接在触发器U5的置位端S上，触发器U5的复位端R接入第三PWM信号，触发器U5的输出端输出检测结果信号。

主权项：1.一种基于VDS退饱和检测和DIDT检测的复合检测电路,其特征在于，用于对包括MOS管Q2的碳化硅模块进行短路检测，所述MOS管Q2的源极上存在寄生电感LSS；复合检测电路包括：与门U4、触发器U5、VDS退饱和检测电路和DIDT检测电路，所述DIDT检测电路的输入端连接在所述寄生电感LSS的一端上并通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述DIDT检测电路的输出端连接在所述与门U4的一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输出端连接在所述与门U4的另一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输入端连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述MOS管Q2的栅极接入第一PWM信号，所述与门U4的输出端连接在触发器U5的置位端S上，所述触发器U5的复位端R接入第三PWM信号，所述触发器U5的输出端输出检测结果信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北月照松电控系统有限公司 一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路

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