申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2017-10-20

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN110462798B

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46;H01L21/67

优先权：["20170117 US 15/408,326"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.05#授权;2020.02.21#实质审查的生效;2019.11.15#公开

摘要：衬底定位于电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上。从第一射频信号发生器向设置在等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，以产生暴露于衬底的等离子体。从第二射频信号发生器向衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号。第一和第二射频信号发生器被彼此独立地控制。第二射频信号的频率大于或等于约27兆赫兹。第二射频信号在等离子体处理容积空间内的衬底的水平处产生补充等离子体密度，同时在衬底的水平处产生小于约200伏的偏压。

主权项：1.一种用于操作电感耦合等离子体处理室的方法，其包括：将衬底定位在所述电感耦合等离子体处理室的等离子体处理容积空间内的衬底支撑结构上；从第一射频信号发生器向设置在所述电感耦合等离子体处理室的所述等离子体处理容积空间外部的线圈提供第一射频信号，所述第一射频信号产生暴露于所述衬底的等离子体；以及在从所述第一射频信号发生器向所述线圈提供所述第一射频信号的同时，从第二射频信号发生器向所述衬底支撑结构内的电极提供第二射频信号，所述第一射频信号发生器和所述第二射频信号发生器被彼此独立地控制，所述第二射频信号具有大于或等于27兆赫兹的频率，在基本上没有改变在所述衬底的水平处的偏置电压的情况下，所述第二射频信号在所述等离子体处理容积空间内的所述衬底的所述水平处产生补充等离子体密度，其中所述衬底的所述水平处是所述等离子体处理容积空间内所述衬底上方且接近所述衬底的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 在感应耦合等离子体处理室内以低偏压产生近衬底补充等离子体密度

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