申请/专利权人：南昌航空大学

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117655352A

主分类号：B22F10/28

分类号：B22F10/28;B22F10/366;B22F10/38;B22F12/55;B22F12/70;C22C30/00;B33Y10/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明一种经双路送粉在CMC表面沉积难熔高熵合金涂层方法采用激光熔化沉积工艺，预先在碳化硅纤维增强碳化硅基材表面沉积Si连接层后，再将Al粉和难熔高熵合金粉末以双路送粉的方式，沉积组成为Al0.15CrMoTaTi的难熔高熵合金涂层。本发明采用双路送粉的方式解决了球形高熵合金粉末制粉时Al、Cr挥发损失及Al粉难混合问题，并通过工艺参数调节，使涂层与基体界面平整，且涂层厚度均匀，结构致密，显著减少了涂层孔洞、开裂等缺陷，进而获得优异的抗氧化和耐高温性能，而且涂层经恒温氧化后所生成致密的氧化铝保护膜是目前唯一能完全保护基体的氧化膜，工况适应性能优异。

主权项：1.一种经双路送粉在CMC表面沉积难熔高熵合金涂层方法，其特征在：所述的方法采用激光熔化沉积工艺，预先在碳化硅纤维增强碳化硅基材表面沉积Si连接层后，再将Al粉和难熔高熵合金粉末以双路送粉的方式，沉积组成为Al0.15CrMoTaTi的难熔高熵合金涂层；具体包括以下步骤：步骤1：将球形高熵合金粉末与Cr粉混合均匀，得到难熔高熵合金粉末；其中，球形高熵合金粉末的原子百分比为：Al：4.3at.%、Cr：5.7at.%、Mo：31.4at.%、Ta：30.2at.%、Ti：28.4at.%；Cr粉的加入量占难熔高熵合金粉末的13wt.%；步骤2：采用320#的砂纸对碳化硅纤维增强碳化硅基材表面打磨后，分别用水和无水乙醇超声清洗，再进行烘干；步骤3：将难熔高熵合金粉末、Si粉和Al粉分别在120-140oC温度下干燥处理12小时，其后自然冷却至室温备用；步骤4：将步骤2处理后的碳化硅纤维增强碳化硅基材安装在激光发射器下方，并用钢板固定；步骤5：将步骤3处理后的Si粉加入至激光增材制造设备的送粉器内，启动激光增材制造设备，设定激光熔化沉积工艺参数；在氩气的保护下，在碳化硅纤维增强碳化硅基材表面，通过激光束将Si粉逐层熔化成型，在碳化硅纤维增强碳化硅基材表面得到Si连接层；步骤6：将送粉器内剩余的Si粉清理干净，再将Al粉和难熔高熵合金粉末分别加入至激光增材制造设备的两个送粉器中，分别通过送粉通道一和送粉通道二进行双路送粉；设定激光熔化沉积工艺参数，在氩气的保护下，通过激光束将难熔高熵合金粉末和Al粉熔化，在碳化硅纤维增强碳化硅基材的Si连接层表面上，沉积出组成为Al0.15CrMoTaTi的难熔高熵合金涂层。

全文数据：

权利要求：

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