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【发明公布】Nano-DSC表征技术的高通量样品制备装置_上海交通大学_202311371507.3 

申请/专利权人:上海交通大学

申请日:2023-10-20

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117665044A

主分类号:G01N25/20

分类号:G01N25/20;G01N1/28

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:本发明提供了一种Nano‑DSC表征技术的高通量样品制备装置,包括样品台以及装配在样品台上的传感器,样品台具有配置在中部的第一装配结构、配置在右端的第一连接结构、配置在左端的第三连接结构、配置在前端的第四连接结构、配置在后端的第二连接结构,第一连接结构与第三连接结构相匹配使得多个样品台能够左右拼接相连进而横向进行扩展,和或第二连接结构与第四连接结构相匹配使得多个样品台能够左右拼接相连进而纵向进行扩展形成目标形态的大掩模版;本发明中解决了传统技术只能一次实验一个样品的单样品制备的问题,达到了能在一次性制备多个成分和工艺不同样品的效果,进而实现批量快速制备用于Nano‑DSC技术表征的样品。

主权项:1.一种Nano-DSC表征技术的高通量样品制备装置,其特征在于,包括样品台以及传感器,所述样品台具有配置在中部的第一装配结构106、配置在右端的第一连接结构101、配置在左端的第三连接结构103、配置在前端的第四连接结构104、配置在后端的第二连接结构102,其中,所述第一连接结构101与第三连接结构103相匹配使得多个所述样品台能够左右拼接相连进而横向进行扩展,和或所述第二连接结构102与第四连接结构104相匹配使得多个所述样品台能够左右拼接相连进而纵向进行扩展进而形成目标形态的大掩模版;所述传感器通过自身具有的与所述第一装配结构106相匹配的第二装配结构108装配在所述样品台的中部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海交通大学 Nano-DSC表征技术的高通量样品制备装置

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