申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-10-20

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672845A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/737

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明提供一种改善HBT器件发射区‑基区界面处砷聚集的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构形成有集电区及基区，且所述基区的正上方形成有发射区窗口；至少于所述发射区窗口的底部形成本征缓冲层，且所述本征缓冲层与所述基区接触；于所述发射区窗口内填充掺杂砷的砷化硅层，并于所述发射区窗口以外区域形成所述砷化硅层。通过本发明改善了现有的发射区‑基区界面处砷聚集的问题。

主权项：1.一种改善HBT器件发射区-基区界面处砷聚集的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构形成有集电区及基区，且所述基区的正上方形成有发射区窗口；至少于所述发射区窗口的底部形成本征缓冲层，且所述本征缓冲层与所述基区接触；于所述发射区窗口内填充掺杂砷的砷化硅层，并于所述发射区窗口以外区域形成所述砷化硅层。

全文数据：

权利要求：

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