申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2023-11-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117665988A

主分类号：G02B5/00

分类号：G02B5/00;G02B5/30;G02B7/00;G02B27/28;G02B27/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种基于各向异性材料的偏振调制完美吸收器及设计方法。所述偏振调制完美吸收器沿入射光的光路依次设置有偏振调制结构以及吸收结构；所述吸收结构的顶部与所述光路垂直设置，所述吸收结构沿光路依次包括顶部各向异性弱吸收层、氧化物层以及底部基底；所述顶部各向异性弱吸收层的材料为硒化亚锗GeSe、硒化亚锡SnSe或者α相三氧化钼α‑MoO3；所述偏振调制结构用于通过调整所述入射光的偏振角，以调控所述偏振调制完美吸收器对应的目标波长；所述吸收结构用于吸收所述入射光。本发明将各向异性弱吸收层材料与氧化物层结构结合制作成完美吸收器，无需设计与制作复杂的微纳结构以实现对应的功能。

主权项：1.一种偏振调制完美吸收器，其特征在于，沿入射光的光路依次设置有偏振调制结构以及吸收结构；所述吸收结构的顶部与所述光路垂直设置，所述吸收结构沿光路依次包括顶部各向异性弱吸收层、氧化物层以及底部基底；所述顶部各向异性弱吸收层的材料为硒化亚锗GeSe、硒化亚锡SnSe或者α相三氧化钼α-MoO3；所述偏振调制结构用于通过调整所述入射光的偏振角，以调控所述偏振调制完美吸收器对应的目标波长；所述吸收结构用于吸收所述入射光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种基于各向异性材料的偏振调制完美吸收器及设计方法

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