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【发明公布】一种基于二氧化钒的可调太赫兹超材料完美吸波器_桂林电子科技大学_202311676819.5 

申请/专利权人:桂林电子科技大学

申请日:2023-12-08

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:CN117673769A

主分类号:H01Q17/00

分类号:H01Q17/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要:本发明公开一种基于二氧化钒的可调太赫兹超材料完美吸波器。其特征是:这是一种吸收率随温度可控的宽带太赫兹吸波器,自下而上它由底层反射层1、介质隔离层2、二氧化钒薄膜3组合而成,各层之间紧密贴合。本发明针对现有吸波器吸收带宽窄、吸收率低、不可调制或调制深度的缺点,使用仿真软件进行数值分析,得到二氧化钒在不同电导率下吸波器的吸收频谱,利用二氧化钒电导率随温度可变的特性,实现了吸波器吸收率可调控,通过调节二氧化钒的电导率可以获得96%的调制深度,且在二氧化钒电导率为2×105Sm时,吸波器在2.57‑4.87THz的范围内吸收率大于90%,吸收带宽可达2.30THz。该吸波器具有结构简单、吸收带宽宽、吸收率可控的特点,在光开关太赫兹传感器、能量采集、电磁隐身等领域具有重要应用价值。

主权项:1.一种基于二氧化钒的可调太赫兹超材料完美吸波器,其特征是:这是一种吸收率随温度可控的宽带太赫兹吸波器,自下而上它由底层反射层1、介质隔离层2、二氧化钒薄膜3组合而成,各层之间紧密贴合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 桂林电子科技大学 一种基于二氧化钒的可调太赫兹超材料完美吸波器

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