申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所

申请日：2019-10-11

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN110557043B

主分类号：H02M9/00

分类号：H02M9/00;H02M9/02;H03K3/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.01.03#实质审查的生效;2019.12.10#公开

摘要：本发明公开了一种基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器，包括N个一级驱动电路、N个二级驱动电路、N个脉冲调制组件和1个包含N个初级绕组的高压脉冲变压器。一级驱动电路接收外部提供的定时信号，并将其转换为+5V脉冲电压幅度的触发信号，送给二级驱动电路；二级驱动电路通过光感应调器件和独立供电的+12V和‑5V电源，对一级驱动电路送来的触发信号进行放大，并实现与一级驱动电路的隔离，为脉冲功率组件的调制开关GaNFET提供驱动信号；脉冲功率组件为高压脉冲变压器初级提供激励脉冲；高压脉冲变压器将初级激励脉冲升压，输出负载所需的0‑10kV高压脉冲。

主权项：1.一种基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器，其特征在于，包括N个一级驱动电路、N个二级驱动电路、N个脉冲调制组件和1个包含N个初级绕组的高压脉冲变压器；所述一级驱动电路与二级驱动电路连接；所述二级驱动电路与脉冲调制组件连接；所述N个脉冲调制组件与高压脉冲变压器连接；所述高压脉冲变压器与负载连接，其中,8≤N≤16；所述一级驱动电路接收外部提供的定时信号，并将其转换为+5V脉冲电压幅度的触发信号，送给二级驱动电路；所述二级驱动电路通过光感应调制器件和独立供电的+12V和-5V电源，对一级驱动电路送来的触发信号进行放大，并实现与一级驱动电路的隔离，为脉冲功率组件的调制开关GaNFET提供驱动信号；所述脉冲调制组件根据二级驱动电路送来的驱动信号的控制，为高压脉冲变压器初级提供激励脉冲；所述高压脉冲变压器将初级激励脉冲进行升压，输出负载所需的高压脉冲。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十四研究所 基于GaNFET的纳秒级高压脉冲调制器

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