申请/专利权人：杭州大和热磁电子有限公司

申请日：2023-11-07

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117655663A

主分类号：B23P15/00

分类号：B23P15/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种静电吸盘基座孔洞镀膜层交界处加工方法，包括有以下步骤：S1、静电吸盘基座包括有连接表面和加工孔，在所述加工孔内壁上设置有氧化镀膜层；S2、在所述连接表面上喷涂形成陶瓷镀膜层；S3、在加工孔的氧化镀膜层与陶瓷镀膜层交界处对陶瓷镀膜层进行机加工；S4、机加工使得陶瓷镀膜层的孔径小于设置有氧化镀膜层的加工孔内壁孔径。本发明提供了一种静电吸盘基座孔洞镀膜层交界处加工方法，能够大幅降低过刀切裸露金属基体的风险，提高了加工的容错率，在保证静电吸盘基座在刻蚀环境中的优秀耐腐蚀性的基础上，能够提高了静电吸盘基座的加工成功率。

主权项：1.一种静电吸盘基座孔洞镀膜层交界处加工方法，其特征在于，包括有以下步骤：S1、静电吸盘基座包括有连接表面1和加工孔2，在所述加工孔2内壁上设置有氧化镀膜层21；S2、在所述连接表面1上喷涂形成陶瓷镀膜层11；S3、在加工孔2的氧化镀膜层21与陶瓷镀膜层11交界处对陶瓷镀膜层11进行机加工；S4、机加工使得陶瓷镀膜层11的孔径小于设置有氧化镀膜层21的加工孔2内壁孔径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州大和热磁电子有限公司 一种静电吸盘基座孔洞镀膜层交界处加工方法

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