申请/专利权人：华东理工大学

申请日：2022-05-13

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN114855113B

主分类号：C23C4/073

分类号：C23C4/073;C23C4/11;C23C4/131;C23C4/134

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明涉及一种低吸发比高发射率涂层材料及其制备工艺、以及一种高发射率涂层系统及其制备工艺。所述低吸发比高发射率涂层材料为氧化镁掺杂氧化铝，其中，氧化镁的掺杂量为1～10wt.％。根据本发明提供的氧化镁掺杂含量，由此制备得到的氧化铝基高发射率涂层系统相比较纯氧化铝涂层具有更低的吸发比，根据本发明提供的掺杂方法可应用于太阳探测器迎日涂层的开发。

主权项：1.一种低吸发比高发射率涂层材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：A1：按一定的质量比分别称量Al2O3粉末与MgO粉末，将称量好的混合粉末倒入球磨罐中，使用无水乙醇作为介质，以及氧化铝材质的磨球，所述磨球与混合粉末的质量比为（1~3）:1，使用行星式球磨机进行磨混20~24h；A2：将步骤A1球磨后的浆料放入烘干机中烘干2~3个小时，使用电子天平称量3~5g烘干后的粉体，将其放入CIP-22M微型等静压机中，在冷等静压250~300MPa的压力下保持5~10min；A3：将步骤A2所得的块材在1500~1550℃空气气氛中烧结60~72小时后，冷却至室温，而后对块材进行破碎，即可获得一种氧化镁掺杂氧化铝的低吸发比高发射率涂层材料，其中，氧化镁的掺杂量为1~10wt.%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东理工大学 一种低吸发比高发射率涂层材料及其制备工艺、以及一种涂层系统及其制备工艺

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