申请/专利权人：安徽立德半导体材料有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690801A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，包括以下步骤：分为初次处理和二次处理，最后采用局部粗化的方式将需要进行局部粗化的引线框架区域进行遮挡覆盖，然后使用粗化药水对引线框架未被遮挡的区域进行喷淋处理，药水中的成分可以使得该区域表面发生粗化反应；粗化后处理：完成粗化后，需要对引线框架进行清洗，以去除残留的粗化药水和杂质。先镀后蚀可精准的对引线框架进行电镀，避免了“漏镀”的情况发生，从而提高芯片注塑过程中的结合力。使用局部粗化的工艺，将需要粗化的地方直接采用“高粗化”提升产品可靠性。

主权项：1.一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：初次处理：首先将铜基材进行清洗，以去除表面的污垢和杂质，然后在铜基材上贴上膜片，膜片可以保护铜基材不受后续处理的影响，接下来通过曝光和显影的过程，将需要镀银的区域暴露在光中，并去除未暴露区域的膜层，最后对已暴露的区域进行镀银处理，使其表面覆盖一层银层；二次处理：在初次处理完成后，将膜片从铜基材上去除，并再次进行清洗，以确保表面清洁，然后再次贴上膜片，曝光并显影和蚀刻；局部粗化：将需要进行局部粗化的引线框架区域使用粗化药水对引线框架未被遮挡的区域进行喷淋处理，药水中的成分可以使得该区域表面发生粗化反应；粗化后处理：完成粗化后，需要对引线框架进行清洗，以去除残留的粗化药水和杂质，最后去除未暴露区域的膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽立德半导体材料有限公司 一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺

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