申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日：2023-02-23

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN116217226B

主分类号：C04B35/472

分类号：C04B35/472;C04B35/622;C04B41/88;H10N30/853;H10N30/097

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2023.06.23#实质审查的生效;2023.06.06#公开

摘要：本发明涉及一种BS‑PT基高温压电陶瓷材料及其制备方法。所述BS‑PT基高温压电陶瓷的化学组成为1‑yBiScO3‑yPb1‑x□xTi1‑zHfzO3；其中，x表示Pb空位的摩尔百分比，x＝0～0.020；y＝0.60～0.65；z＝0～0.03；其中x和z不同时为0。

主权项：1.一种BS-PT基高温压电陶瓷材料，其特征在于，所述BS-PT基高温压电陶瓷的化学组成为1-yBiScO3-yPb1-x□xTi1-zHfzO3；其中，x表示Pb空位的摩尔百分比，x＝0～0.020；y＝0.60～0.65；z＝0～0.03；其中x和z均不为0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种BS-PT基高温压电陶瓷材料及其制备方法

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