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【发明公布】磁斯格明子的擦写方法_北京理工大学_202311469247.3 

申请/专利权人:北京理工大学

申请日:2023-11-07

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN117711456A

主分类号:G11C11/16

分类号:G11C11/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要:本发明公开了磁斯格明子的擦写方法,包括提供样品,将样品放置于样品放置区;提供探针,将探针放置于探针夹持器上;采用针尖扫描样品,得到具有迷宫状磁畴的样品;采用加热器件加热和采用针尖扫描样品,升温期间迷宫状磁畴逐渐转化为磁斯格明子,所有迷宫状磁畴完全转化为磁斯格明子后磁斯格明子逐渐消失;采用针尖扫描样品同时降温处理,降温期间样品生成磁斯格明子,磁斯格明子逐渐形成晶格,晶格逐渐稳定并有序化,实现磁斯格明子的写入;移走探针,先采用加热器件加热样品,再对样品降温处理,磁斯格明子转变为迷宫状磁畴,实现磁斯格明子的擦除。本发明在特定区域精确生成磁斯格明子、操作简单、对工作过程中的配件装置要求不高。

主权项:1.一种磁斯格明子的擦写方法,其特征在于,包括以下步骤:提供样品,将所述样品放置于磁力显微镜的样品放置区;提供探针,将所述探针放置于所述磁力显微镜的探针夹持器上;采用所述探针的针尖扫描所述样品,得到具有迷宫状磁畴的所述样品;采用加热器件加热所述样品,同时采用所述针尖扫描所述样品,升温期间,所述迷宫状磁畴逐渐转化为磁斯格明子,所有所述迷宫状磁畴完全转化为所述磁斯格明子后,所述磁斯格明子逐渐消失;继续采用所述针尖扫描所述样品,同时对所述样品降温处理,降温期间,所述样品生成所述磁斯格明子,所述磁斯格明子逐渐形成晶格,所述晶格逐渐稳定并有序化,实现所述磁斯格明子的写入;移走所述探针,先采用所述加热器件加热所述样品,再对所述样品降温处理,所述磁斯格明子转变为所述迷宫状磁畴,实现所述磁斯格明子的擦除。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京理工大学 磁斯格明子的擦写方法

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