申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117440692A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/20;H10N30/00;H10N35/80;G16C60/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本发明公开了一种基于应变介导精确调控磁斯格明子模态的装置和方法。该装置包括提供电压的面电极和电源，提供电致应变的压电材料层，提供产生斯格明子拓扑结构的重金属‑磁性材料层以及衬底层和外加的保护层。在压电材料层上下两面电极，通过施加脉冲电压，压电材料层产生应变，并传递到重金属‑磁性材料层，根据不同的脉冲电压产生不同的kπ斯格明子模态。本发明公开的方法利用该装置实现应变介导精确调控磁斯格明子模态。本发明能提高信息存储容量和存储密度，易于制备，能耗低，其小尺寸结构适用于电子器件的集成化，在存储器件、逻辑器件、类脑器件等领域具有潜在的应用前景。

主权项：1.一种基于应变介导精确调控磁斯格明子模态的装置，其特征在于，包括：电源、两个面电极、衬底层、压电材料层和重金属-磁性材料层；压电材料层上下表面分别设置两个面电极，即顶部电极和底部电极，两个面电极分别连接电源两端；重金属-磁性材料层设置在顶部电极上，接受压电材料层上表面传递的压电应变；衬底层设置在底部电极下；所述压电材料层在电压作用下由于逆压电效应会产生面内双轴各向同性应变，并将产生的应变传递至重金属-磁性材料层；所述重金属-磁性材料层由重金属层和磁性纳米薄膜组成；所述磁性纳米薄膜采用铁磁性材料，具有磁致伸缩性质，所述重金属层用于提供磁性纳米薄膜上的磁斯格明子多模态变化所需要的界面DM相互作用。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种基于应变介导精确调控磁斯格明子模态的装置和方法

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