申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2023-10-09

公开（公告）日：2024-01-09

公开（公告）号：CN117371501A

主分类号：G06N3/065

分类号：G06N3/065;H10B61/00;G06N3/0499

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本发明公开了一种斯格明子人工突触器件及其权值调控方法，斯格明子人工突触器件包括：芯片基底以及构筑在芯片基底上的导线和斯格明子存储器件；斯格明子存储器件位于导线中心；斯格明子存储器件与导线不接触；在斯格明子存储器件中，有且仅有1个斯格明子；导线包括连接的环绕部分和引出部分；引出部分之间存在预设宽度的间隙；引出部分用于通入电流脉冲，在环绕部分产生环绕的奥斯特场；其中作用在斯格明子存储器件上的奥斯特场方向垂直于斯格明子存储器件；斯格明子的尺寸随着奥斯特场的大小变化而变化；斯格明子存储器件的垂直磁化随着斯格明子存储器件斯格明子的尺寸的变化而变化。本发明的斯格明子人工突触器件线性度较高。

主权项：1.一种斯格明子人工突触器件，其特征在于，包括：芯片基底以及构筑在所述芯片基底上的导线和斯格明子存储器件；所述斯格明子存储器件位于所述导线中心；所述斯格明子存储器件与所述导线不接触；在所述斯格明子存储器件中，有且仅有1个斯格明子；所述导线包括环绕部分和引出部分；所述环绕部分与所述引出部分连接；所述引出部分之间存在预设宽度的间隙；所述引出部分用于通入电流脉冲，在环绕部分产生环绕的奥斯特场；其中作用在斯格明子存储器件上的奥斯特场方向垂直于斯格明子存储器件；斯格明子存储器件内斯格明子的尺寸随着奥斯特场的大小变化而变化；斯格明子存储器件的垂直磁化随着斯格明子存储器件斯格明子的尺寸的变化而变化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种斯格明子人工突触器件及其权值调控方法

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