申请/专利权人：郑州大学

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117700228A

主分类号：C04B35/547

分类号：C04B35/547;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种本征低热导率N型Pb‑Bi‑S基热电材料及其制备方法，所述块体材料为N型Pb3Bi2S6块体材料，Pb、Bi和S的摩尔比例为3：2：6+x；其中，0.0≤x≤0.03。本发明提供的制备方法通过S元素补偿减少空位，降低Pb3Bi2S6的载流子浓度，提高载流子迁移率进而提升材料的电传输性能。本发明通过使用高温熔融法获得铸锭，将铸锭研磨成均匀粉末后进行热压烧结，制备了N型Pb3Bi2S6块体热电材料，在合成过程采用多段温区控制、优化保温时间和控制烧结工艺等获得了较高质量的多晶块体材料，展现出较低的晶格热导率。在室温至中温区范围内热电性能有所提高，在储量丰富、价格低廉、且机械加工性较好的本征低晶格热导率N型Pb3Bi2S6块体材料中有望实现较高的热电性能。

主权项：1.一种本征低热导率N型Pb-Bi-S基块体材料，其特征在于，所述N型块体材料的化学式为Pb3Bi2S6+x，其中，0.0≤x≤0.03，该材料晶体结构的空间群为Cmcm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 郑州大学 一种本征低热导率N型Pb-Bi-S基热电材料及其制备方法

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