申请/专利权人：全智芯(上海)技术有限公司

申请日：2024-02-04

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117710270A

主分类号：G06T5/90

分类号：G06T5/90;G06T5/50;G06T1/20;G06T1/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本公开涉及用于自由尺度光学邻近校正的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：以第一精度格式对第一掩模版图应用光刻模型，以生成仿真晶圆图像；以第二精度格式确定指示仿真晶圆图像与目标图像之间的差异的度量指标，其中目标图像是期望经光刻模型的光刻仿真而在晶圆上形成的图像，第二精度格式的精度大于第一精度格式的精度；以第一精度格式对仿真晶圆图像应用自由尺度反演过程，以生成掩模像素图像；迭代地以基于掩模像素图像而生成的第二掩模版图更新第一掩模版图；响应于度量指标满足预定条件，将与满足预定条件的度量指标对应的所更新的第一掩模版图确定为最优掩模版图。该方案能提高自由尺度光学邻近校正过程的计算速度并减少资源消耗。

主权项：1.一种用于自由尺度光学邻近校正的方法，包括：以第一精度格式对第一掩模版图应用光刻模型，以生成仿真晶圆图像；以第二精度格式确定指示所述仿真晶圆图像与目标图像之间的差异的度量指标，其中所述目标图像是期望经所述光刻模型的光刻仿真而在晶圆上形成的图像，并且所述第二精度格式的精度大于所述第一精度格式的精度；以所述第一精度格式对所述仿真晶圆图像应用自由尺度反演过程，以生成掩模像素图像；迭代地以基于所述掩模像素图像而生成的第二掩模版图更新所述第一掩模版图；以及响应于所述度量指标满足预定条件，将与满足预定条件的所述度量指标对应的所更新的第一掩模版图确定为最优掩模版图。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 全智芯(上海)技术有限公司 用于自由尺度光学邻近校正的方法、电子设备及存储介质

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