申请/专利权人：上海核工程研究设计院股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711646A

主分类号：G21C5/06

分类号：G21C5/06;G21C17/00;C23C14/30;C23C14/54;C23C14/10;C23C14/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：一种CHF试验格架制造方法，在CHF试验格架预制件上确定强化区域，设置保护层隔离非强化区域，利用离子束辅助电子束蒸发沉积工艺在强化区域表面交替沉积含Al陶瓷层与含Si陶瓷层形成具有多层复合结构的强化层，得到具有强化层的CHF试验格架成品。通过该方法能够在CHF试验格架上制备具有良好绝缘和耐磨性能的强化层，降低CHF试验过程中局部放电导致电加热棒被击穿的风险。本发明还提供一种CHF试验格架。

主权项：1.一种CHF试验格架制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供CHF试验格架预制件，在所述CHF试验格架预制件上确定强化区域，所述强化区域包括与电加热棒接触的区域及与电加热棒的间隙小于给定阈值的区域；对所述CHF试验格架预制件进行清洗，并在所述强化区域以外的表面设置保护层；利用离子束辅助电子束蒸发沉积工艺在所述强化区域制备强化层，所述强化层包括至少一层含Al陶瓷层与至少一层含Si陶瓷层交替叠加形成的复合层；去除所述保护层，得到CHF试验格架成品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海核工程研究设计院股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所 一种CHF试验格架制造方法及试验格架

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