申请/专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117707277A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种全差分开关电容带隙基准产生电路，包括偏置电压产生电路和基准电压产生电路；偏置电压产生电路包括三个双极型三极管；偏置电压产生电路用于基于β补偿和失配平均技术，分别利用第一电流、第二电流以及第三电流对三个三极管进行偏置，对应产生三个偏置电压；其中，第一电流为与绝对温度成正比的单位电流，第二电流为四倍的第一电流，第三电流为与温度无关的电流；基准电压产生电路用于基于全差分开关电容求和放大器对三个偏置电压进行加权求和，生成带隙基准电压。该电路无需增加额外的曲率补偿电路，即可生成曲率补偿和温度补偿后的带隙基准电压，具有较低的功耗和温度系数。

主权项：1.一种全差分开关电容带隙基准产生电路，其特征在于，包括偏置电压产生电路和基准电压产生电路；所述偏置电压产生电路包括三个双极型三极管Q1、Q2、Q3；所述偏置电压产生电路用于基于β补偿和失配平均技术，分别利用第一电流、第二电流以及第三电流对所述三极管Q1、Q2、Q3进行偏置，对应产生三个偏置电压VEB,1、VEB,2、VEB,3；其中，所述第一电流为与绝对温度成正比的单位电流IPTAT，所述第二电流为四倍的第一电流，所述第三电流为与温度无关的电流IT；所述基准电压产生电路用于基于全差分开关电容求和放大器对所述三个偏置电压VEB,1、VEB,2、VEB,3进行加权求和，生成带隙基准电压VREF。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 一种全差分开关电容带隙基准产生电路

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