申请/专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

申请日：2022-01-20

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN114501266B

主分类号：H04R19/00

分类号：H04R19/00;H04R19/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要：本发明公开了单支点差分结构抗振动干扰芯片及具有该芯片的麦克风，芯片由上而下依次包括上盖板、声学敏感结构层、腔体结构层和衬底；声学敏感结构层包括两个对称分布在支撑元件两侧的声学敏感元件，两个声学敏感元件均开设有阻尼孔；腔体结构层包括两个间隔分布的下电极，两个下电极与两个声学敏感元件一一对应且相对设置以组成两个电容器，两个声学敏感元件同时分别作为两个电容器的上电极；上盖板对应其中一个声学敏感元件的位置镂空以形成透声孔且对应另一个声学敏感元件的位置实施为声障部。在振动干扰的作用下两个声学敏感元件的变形完全一样，因此，两个电容器的电容变化量相同，经过差分输出之后，输出信号为零，实现了抗振动干扰的目的。

主权项：1.一种单支点差分结构抗振动干扰芯片，其特征在于，该芯片由上而下依次包括上盖板、声学敏感结构层、腔体结构层和衬底；其中，所述声学敏感结构层包括两个对称分布在支撑元件两侧的声学敏感元件，两个所述声学敏感元件均开设有阻尼孔，在所述声学敏感结构层上还设有金属焊盘；所述腔体结构层包括两个间隔分布的下电极，两个所述下电极与两个所述声学敏感元件一一对应且相对设置以组成两个电容器，两个所述声学敏感元件同时分别作为两个所述电容器的上电极；所述上盖板对应其中一个所述声学敏感元件的位置镂空以形成透声孔且对应另一个所述声学敏感元件的位置实施为声障部；所述衬底由上下层叠设置的氧化层和硅层构成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 单支点差分结构抗振动干扰芯片及具有该芯片的麦克风

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