申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日:2021-12-03
公开(公告)日:2024-03-15
公开(公告)号:CN114171634B
主分类号:H01L31/109
分类号:H01L31/109;C30B25/18;C30B29/40;H01L31/0224;H01L31/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.15#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开
摘要:本发明提供一种日盲紫外光电探测器及其制备方法,日盲紫外光电探测器包括从下至上依次设置的基底、缓冲层、多周期薄膜层、金属叉指电极;多周期薄膜层至少为双层结构,多周期薄膜层的各层由GaN、AlxGa1‑xN和AlN中的任意两种或三种材料依次叠加构成。本发明提供的日盲紫外光电探测器及其制备方法,通过设置具有折射率差异的多层结构的多周期薄膜层,通过控制多周期薄膜层厚度、周期数实现可选择的对特定波段辐射的反射率增强,实现双波段日盲紫外光电探测的新思路,解决单一光学带隙半导体材料无法实现双波段探测的问题。
主权项:1.一种日盲紫外光电探测器,包括从下至上依次设置的基底、缓冲层、多周期薄膜层、金属叉指电极;其特征在于,所述多周期薄膜层至少为双层结构,所述多周期薄膜层的各层由GaN、AlxGa1-xN和AlN中的任意两种或三种材料依次叠加构成;其中,0x1;通过控制各层的一个周期的厚度改变各层的折射率,使日盲紫外光电探测器对日盲紫外波段内局部波段区域的反射率增强,实现日盲紫外光电探测器在日盲紫外波段内的双波段探测;所述多周期薄膜层的周期数为10-100个;所述多周期薄膜层的每个周期中所述各层的厚度为10-50nm,所述各层的厚度与所述各层的折射率满足以下公式:λ4=nt;其中,λ表示反射增强的中心波长;t表示所述各层的厚度;n表示所述各层的折射率。
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权利要求:
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