申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727637A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及提高被动散热及芯片背部引出的扇出型封装方法及结构。在所述硅晶圆上刻蚀空腔；在刻蚀空腔的硅晶圆表面溅射种子层、电镀铜形成金属层；将所述异构芯片背金面焊接导电层；将焊接好导电层的芯片放置于硅片空腔内；利用晶圆级再布线工艺在所述晶圆上形成多层再布线层；使用临时键合工艺保护硅晶圆正面，减薄硅晶圆，磨出芯片的导电层，利用再布线工艺形成金属层；在晶圆背面金属层上焊接金属层；利用晶圆级植球工艺，在晶圆正面多层布线的球下金属层处植球；最后再对所述硅晶圆进行划片形成最终的封装体。本发明提高了扇出型封装结构的散热性能以及解决了扇出型封装中芯片背部引出的问题。

主权项：1.一种提高被动散热及芯片背部引出的扇出型封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：提供硅晶圆101，在所述硅晶圆101的正面上用光刻工艺光刻出图形，再使用干法刻蚀工艺，刻蚀出空腔102；步骤二：在所述硅晶圆101的正面采用溅射种子层、电镀铜的方式形成第一金属层103；步骤三：提供异构芯片104，并在所述异构芯片的背部焊接金属材料，将所述异构芯片104使用高精度装片机装置于所述空腔102中，固化后，形成第二金属层105；步骤四：在所述硅晶圆101的正面，使用再布线工艺，依次形成第一再布线金属层106和钝化层107；步骤五：翻转所述硅晶圆101，提供临时键合载板201与临时键合材料202，将所述临时键合材料202贴附至所述临时键合载板201的正面上；并将所述硅晶圆101的正面贴合至所述临时键合材料202上；使用减薄工艺，减薄所述硅晶圆101的背面，漏出所述异构芯片104背部焊接的所述第二金属层105；步骤六：在所述硅晶圆101的背面，使用再布线工艺，形成第二再布线金属层108；步骤七：在所述硅晶圆101背面的所述第二再布线金属层108上，焊接金属层形成金属散热层109；步骤八：去除临时键合载板201，在硅晶圆101正面的所述第一再布线金属层106的焊盘110上，使用植球工艺，植上焊球111；最后采用划片工艺，将所述硅晶圆101沿划片道划成最终封装体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 提高被动散热及芯片背部引出的扇出型封装方法及结构

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