申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117897034A

主分类号：H10N15/00

分类号：H10N15/00;H10N15/10;G01J5/34

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明属于热释电线列器件的设计及微细加工领域，具体为一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法。本发明采用NiCr合金作为上电极和吸收层，将用于研究界面结构、材料分析的FIB聚焦离子束技术首次用于多元红外传感器件的底电极信号引出，通过第一次光刻制备图形化上电极时预留打孔的位置直观的精准打孔至底电极，进而与外电路完成电极互联使得整体器件能正常输出电信号。本发明有效解决了行业当前存在未刻到或过刻下电极，以及工艺复杂、加工难度大的问题。

主权项：1.一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将LTO钽酸锂单晶薄膜片，通过光刻工艺对其LTO钽酸锂热释电层上表面进行图形化光刻掩膜，制备图形化的NiCr合金膜上电极；LTO钽酸锂单晶薄膜片从下至上依次为衬底、隔热层、黏附层、底电极、黏附层和LTO钽酸锂热释电层；掩膜的图形包含上电极的图形及后续FIB聚焦离子束打孔的位置；步骤2、将步骤1所得LTO钽酸锂单晶薄膜片的上电极一面进行刻蚀，刻掉相邻敏感元之间预设的隔热沟槽区域的钽酸锂，得到隔热沟槽；步骤3、将步骤2所得LTO钽酸锂单晶薄膜片通过套刻工艺对NiCr合金上电极进行图形化光刻掩膜，在其光刻掩膜的一面制备上电极焊盘；步骤4、将步骤3所得LTO钽酸锂单晶薄膜片通过FIB工艺在步骤1预设的打孔位置进行开孔，开孔深度至LTO钽酸锂单晶薄膜片的底电极，从而引出底电极；步骤5、将步骤4所得LTO钽酸锂单晶薄膜片贴片至PCB板上，并通过引线键合将其上电极与PCB板的外围电路正极相连，开孔引出的底电极与PCB板的外围电路负极相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法

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