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【发明公布】基于部分受限的量子阱共振磁性隧道结及包括其的磁器件_中国科学院物理研究所_202311753360.4 

申请/专利权人:中国科学院物理研究所

申请日:2023-12-19

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117729839A

主分类号:H10N50/10

分类号:H10N50/10;H10N50/80

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明涉及基于部分受限的量子阱共振磁性隧道结及包括其的磁器件。根据一实施例,一种磁性隧道结可包括:第一非磁金属层,由非磁金属材料形成;位于所述第一非磁金属层上的第一铁磁层,由铁磁金属材料形成;位于所述第一铁磁层上的隧穿势垒层,由非磁绝缘材料形成;以及位于所述隧穿势垒层上的第二铁磁层,由铁磁金属材料形成,其中,所述第一非磁金属层与所述第一铁磁层之间的第一界面对Δ1对称性电子的反射率大于零且小于1,并且所述第一铁磁层与所述隧穿势垒层之间的第二界面对Δ1对称性电子的反射率大于零且小于或等于1,从而在所述第一铁磁层中形成量子阱能级。

主权项:1.一种磁性隧道结,包括:第一非磁金属层,由非磁金属材料形成;位于所述第一非磁金属层上的第一铁磁层,由铁磁金属材料形成;位于所述第一铁磁层上的隧穿势垒层,由非磁绝缘材料形成;以及位于所述隧穿势垒层上的第二铁磁层,由铁磁金属材料形成,其中,所述第一非磁金属层与所述第一铁磁层之间的第一界面对Δ1对称性电子的反射率大于零且小于1,并且所述第一铁磁层与所述隧穿势垒层之间的第二界面对Δ1对称性电子的反射率大于零且小于或等于1,从而在所述第一铁磁层中形成量子阱能级。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院物理研究所 基于部分受限的量子阱共振磁性隧道结及包括其的磁器件

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