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【发明公布】一种延时结构和延时电路_昆腾微电子股份有限公司;西安电子科技大学_202311820296.7 

申请/专利权人:昆腾微电子股份有限公司;西安电子科技大学

申请日:2023-12-27

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117728802A

主分类号:H03K5/133

分类号:H03K5/133;H03K19/094;H03K19/20;H03K19/003

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明实施例提供了一种延时结构和延时电路。其中,该延时结构包括:第一反相器、第一电容、第二电容、第一输出模块和第二输出模块;其中,第一输出模块包括第一MOS管,第二输出模块包括第二MOS管;第一输出模块设置有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口;第二输出模块设置有第五端口、第六端口、第七端口和第八端口;第一MOS管的源极与第一端口连接;第二MOS管的栅极与第四端口连接,第二MOS管的源极与第五端口连接;第二端口用于接收外部信号;第八端口用于输出延时信号;利用MOS管的深亚阈值特性,使用很小的芯片面积实现几十微秒的延时,解决了在无时钟的情况,无法用小面积实现大延时的问题。

主权项:1.一种延时结构,其特征在于,包括:第一反相器、第一电容、第二电容、第一输出模块和第二输出模块;其中,所述第一输出模块包括第一MOS管,所述第二输出模块包括第二MOS管;所述第一输出模块设置有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口;所述第二输出模块设置有第五端口、第六端口、第七端口和第八端口;所述第一端口和第五端口均用于连接工作电源;所述第三端口和所述第七端口用于接地;所述第四端口连接所述第一反相器的输入端;所述第六端口连接所述第一反相器的输出端;所述第一MOS管的源极与所述第一端口连接;所述第二MOS管的栅极与所述第四端口连接,所述第二MOS管的源极与所述第五端口连接;所述第一电容的一端接地,另一端与所述第四端口连接;所述第二电容的一端接地,另一端与所述第八端口连接;所述第二端口用于接收外部信号;所述第八端口用于输出延时信号。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 昆腾微电子股份有限公司;西安电子科技大学 一种延时结构和延时电路

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