申请/专利权人：链行走新材料科技(广州)有限公司

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117729821A

主分类号：H10K71/12

分类号：H10K71/12;H10K30/40;H10K30/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于P3HT的p‑i‑n型钙钛矿太阳电池的制备方法，包括如下步骤：S1.在导电基底上刮涂空穴传输层；S2.在空穴传输层上依次设置钙钛矿层、电子传输层和顶电极；所述导电基底的材料为FTO导电基底或ITO导电基底；所述空穴传输层为P3HT层。该方法可以在无需添加其他物质或更改溶剂的情况下，有效改善涂覆后P3HT的链取向和排列方式，一方面，极大改善P3HT材料的浸润性，便于钙钛矿层的涂覆；另一方面，其face‑on的排列方式可以有效解决P3HT与钙钛矿界面的不良接触造成的低效率、低浸润的问题。

主权项：1.一种基于P3HT的p-i-n型钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在导电基底上刮涂空穴传输层；S2.在空穴传输层上依次设置钙钛矿层、电子传输层和顶电极；所述导电基底的材料为FTO导电基底或ITO导电基底；所述空穴传输层为P3HT层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 链行走新材料科技(广州)有限公司 一种基于P3HT的p-i-n型钙钛矿太阳电池的制备方法

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