申请/专利权人：武汉理工大学

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117720336A

主分类号：C04B35/10

分类号：C04B35/10;C04B35/622;C04B38/00;C09K5/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法，储热陶瓷具有用于封装相变材料的蜂窝孔；储热陶瓷的原料包括基础粉料以及占基础粉料总质量的5～10％的外加剂；基础粉料包括75～96％的氧化铝以及4～25％的高岭土；外加剂是镁源、钇源通过火焰喷雾热解法制备的具有核壳状结构的微纳米级氧化镁‑氧化钇复相粉体。本发明采用具有核壳状结构的氧化钇‑氧化镁粉体，促进陶瓷基体的致密化，提升封装基体的热导率；同时本发明陶瓷封装基体具有高储热密度、高热导率、以及长期抗热震性能好的优点，封装相变材料所得的储热陶瓷具有使用温度范围宽，且能够满足多级温区储热放热的优点。

主权项：1.一种用于封装储能PCM的储热陶瓷，其特征在于，所述储热陶瓷具有用于封装相变材料的蜂窝孔；所述储热陶瓷的原料包括基础粉料以及占基础粉料总质量的5～10％的外加剂；其中，按质量百分数计，基础粉料包括75～96％的氧化铝以及4～25％的高岭土；所述外加剂是将镁源、钇源加入溶剂中制得前驱体溶液，再通过火焰喷雾热解法制备得到的具有核壳状结构的微纳米级氧化镁-氧化钇复相粉体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉理工大学 用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法

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