申请/专利权人：杭州欧光芯科技有限公司

申请日：2021-02-05

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112978674B

主分类号：B81B7/04

分类号：B81B7/04;B81C1/00;G02B1/118

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要：本发明公开了一种制备蛾眼减反结构的工艺方法。方法包括：在原始硅模具的表面制备纳米柱阵列；具有纳米柱阵列的PDMS软模板的制备；在基片上制备第一金属层；在第一金属层上制备图形转移层，将PDMS软模板图形复制转移到图形转移层的表面，并得到若干个纳米柱；纳米柱阵列结构表面修饰；半球形曲面掩膜的刻蚀和成蛾眼减反结构的刻蚀。本发明通过纳米压印将纳米圆柱结构转移到基片表面并转化加工得到弧形曲面掩膜，最终在基片刻蚀得到蛾眼减反结构，避免了电子束光学光刻—刻蚀、自组装法等制备蛾眼减反结构慢、昂贵、工艺复杂，自组装法不可控、不能大面积批量制备的技术缺点，以较低的成本实现了蛾眼减反结构高效、可控、批量的制备。

主权项：1.一种制备蛾眼减反结构的方法，其特征在于：包括以下具体步骤：步骤1，原始硅模具及PDMS软模板（5）制备工序：采用电子束直写+ICP刻蚀的方法在硅基片的表面制备纳米柱阵列，得到具有纳米柱阵列的原始硅模具（7），然后，通过具有纳米柱阵列的原始硅模具（7）制备获得具有纳米柱阵列的PDMS软模板（5）；步骤2，金属层形成工序：通过溅射、蒸镀、沉积或电镀工艺在基片（1）上表面制备一层第一金属层（3）；步骤3，纳米柱阵列复制转移制备工序：在第一金属层（3）的表面制备一层图形转移层（11），通过纳米压印将PDMS软模板（5）具有的纳米柱阵列复制转移到图形转移层（11）的表面，使得图形转移层（11）的表面形成纳米柱阵列结构；步骤4，纳米柱阵列结构表面修饰工序：在纳米柱阵列结构中每个纳米柱的上表面以及相邻纳米柱之间的第一金属层（3）的上表面均制备呈半球形曲面的致密、弧度均匀的纳米颗粒层（15）；步骤5，刻蚀工序：包括将纳米柱刻蚀成半球形曲面掩膜和将基片（1）刻蚀形成蛾眼减反结构。

全文数据：

权利要求：

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