申请/专利权人：哈尔滨理工大学

申请日：2023-06-30

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN116811386B

主分类号：B32B27/02

分类号：B32B27/02;D01F6/94;D01F1/10;H01G4/18;B32B27/28;B32B27/06;B32B27/20;B32B7/02;B32B37/15;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/08;B32B38/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.10.24#实质审查的生效;2023.09.29#公开

摘要：一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用，涉及聚醚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决目前的薄膜材料不能兼具高击穿场强和高介电常数的问题。本发明以聚醚酰亚胺为基体，六方氮化硼纳米片为填料。本发明基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜由6层掺杂有BNNS的填料层组成，并使掺杂的六方氮化硼纳米片浓度沿介质中心到下表面的梯度方向与上表面到介质中心一致，且其中沿上表面到介质中心和介质中心到下表面的BNNS体积分数呈逐步降低的反梯度变化。本发明可获得一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用。

主权项：1.一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜，其特征在于所述的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜由六层聚合物复合介质层组成，每层聚合物复合介质层均由聚醚酰亚胺颗粒和六方氮化硼纳米片组成；所述的六层聚合物复合介质层按A-B-C-A-B-C的顺序排布，且A-B-C内六方氮化硼纳米片的质量分数依次降低；所述的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜的厚度为10μm～18μm，聚醚酰亚胺基复合材料薄膜中六方氮化硼纳米片的质量分数为1～3％；六方氮化硼纳米片的厚度为10nm～20nm，直径为100nm～200nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨理工大学 一种基于非对称梯度结构的聚醚酰亚胺基复合材料薄膜及其制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD