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【发明授权】一种应力诱发的自卷曲网状卡夫神经电极及其制备方法_西北工业大学_202011457788.0 

申请/专利权人:西北工业大学

申请日:2020-12-11

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN112472096B

主分类号:A61B5/25

分类号:A61B5/25;A61B5/268;A61B5/294;A61N1/05;C23C14/04;C23C14/20;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/44;C23C16/56

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要:本发明公开了一种应力诱发的自卷曲网状卡夫神经电极,将金属导电层夹在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层中间,在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层上分别设置相同的网孔阵列;聚对二甲苯网孔衬底层进行加热退火处理,聚对二甲苯网孔封装层不作热处理,两层之间的应力差驱动整个电极释放后自卷曲成为自卷曲网状卡夫神经电极。本发明的卷曲网状卡夫神经电极具有轻薄柔软、组织损伤小、可有效适配弯曲神经束和利于组织液流动等特点。

主权项:1.一种应力诱发的自卷曲网状卡夫神经电极,其特征在于,包括聚对二甲苯网孔衬底层、金属导电层和聚对二甲苯网孔封装层;所述金属导电层夹在聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层中间;所述聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层上分别设置相同的网孔阵列,且聚对二甲苯网孔衬底层的网孔阵列与聚对二甲苯网孔封装层的网孔阵列对齐;所述自卷曲网状卡夫神经电极在加工时对聚对二甲苯网孔衬底层进行加热退火处理,对聚对二甲苯网孔封装层不作热处理,两层之间产生应力差驱动自卷曲网状卡夫神经电极自卷曲;所述聚对二甲苯网孔衬底层和聚对二甲苯网孔封装层上的网孔均匀分布,单个网孔呈正方形,单个网孔尺寸为250μm×250μm,相邻网孔间中心距尺寸为375μm;所述金属导电层上设有15个工作电极点,单个工作电极点直径为50μm,相邻工作电极点中心距尺寸为375μm;所述工作电极点旁边设有参比电极点。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西北工业大学 一种应力诱发的自卷曲网状卡夫神经电极及其制备方法

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