申请/专利权人：中国科学院近代物理研究所

申请日：2021-08-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113655361B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;G01R31/265;G01R31/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.12.03#实质审查的生效;2021.11.16#公开

摘要：本发明公开了快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法。本发明快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：1用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；2对辐照后的LED芯片进行封装，检测不同辐照剂量的LED芯片在同一激发电流下的发光强度；3对发光强度与辐照剂量或发光强度与辐照损伤程度的关系进行拟合，得到拟合曲线和或拟合方程；根据所述拟合曲线和或拟合方程预测LED器件的老化寿命；所述辐照损伤程度为原子的平均离位次数。本发明采用快重离子辐照技术，在发光活性层只沉积能量且损伤程度可控，可在几分钟之内完成LED的老化实验，克服了传统应力老化试验耗时长、能耗高及实验过程复杂的缺点。

主权项：1.一种快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法，包括如下步骤：1用不同辐照剂量的快重离子辐照LED芯片使其内部形成不同程度的损伤；2对辐照后的LED芯片进行封装，检测不同辐照剂量的LED芯片在同一激发电流下的发光强度；3对发光强度与辐照剂量或发光强度与辐照损伤程度的关系进行拟合，得到拟合曲线或拟合方程；根据所述拟合曲线或拟合方程预测LED器件的老化寿命；所述辐照损伤程度为原子的平均离位次数；利用Arrhenius关系对所述发光强度和辐照剂量的关系进行拟合；所述拟合方程为y＝ae-kx+b，其中，y为发光强度，x为辐照剂量；以所述拟合方程中参数k的绝对值的大小为评判依据，评判过程如下：k的绝对值越小，所述LED器件样品的寿命越长；k的绝对值越大，所述LED器件样品的寿命越短。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院近代物理研究所 快速检测LED老化寿命的快重离子辐照方法

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