申请/专利权人：西尼机电(杭州)有限公司

申请日：2021-07-23

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113740087B

主分类号：G01M99/00

分类号：G01M99/00;G01R21/00;G01R21/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本申请涉及电梯平衡系数检测设备，包括前置放大处理电路、信号转换电路、检测输出电路。前置放大处理电路通过不同功率单元通道对电压电流信号进行采样，并对采集到的信号进行放大滤波，保证系统排除其他电磁信号的干扰。信号转换电路，利用电容的充放电改变信号电平，对信号进行初步处理，通过降压电路转换电源电压，减小输入输出电压波纹，抑制自激振荡对电路产生的影响。检测输出电路，使信号经过降压电路及变流电路，得到易于检测的稳定输出信号。

主权项：1.电梯平衡系数检测设备，包括前置放大处理电路、信号转换电路、检测输出电路，其特征在于：所述前置放大处理电路包括输入端口INa，输入端口INb,输出端口Va，双向钳位二极管D2，3个二极管分别为D1、D3、D4，4个电阻分别为R1、R3、R2、R4，4个电容分别为C1、C2、C3、C4，4个电感分别为L1、L2、L3、L4，14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15，所述前置放大处理电路中双向钳位二极管D2的一端与输入端口Ina连接，另一端与输入端口INb连接，电感L2的一端与输入端口Ina连接，另一端分别与电容C2的一端、电感L3的一端连接，电感L3的另一端与功率场效应晶体管Q4的漏端连接，电容C2的另一端分别与二极管D3的正极、电阻R4的一端、电感L4的一端连接，电阻R4的另一端与输入端口INb连接，电感L4的另一端接地，二极管D3的负极分别与功率场效应晶体管Q4的栅极、功率场效应晶体管Q10的栅极、功率场效应晶体管Q5的栅极、功率场效应晶体管Q11的栅极连接，功率场效应晶体管Q4的源端与功率场效应晶体管Q10的漏端连接，功率场效应晶体管Q10的源端接地；所述前置放大处理电路包括输入端口INa，输入端口INb,输出端口Va，双向钳位二极管D2，3个二极管分别为D1、D3、D4，4个电阻分别为R1、R3、R2、R4，4个电容分别为C1、C2、C3、C4，4个电感分别为L1、L2、L3、L4，14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15，所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q4的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q5的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q5的源端与功率场效应晶体管Q11的漏端连接，功率场效应晶体管Q11的源端接地，电容C3的一端与功率场效应晶体管Q6的栅极连接，另一端与功率场效应晶体管Q9的栅极连接，功率场效应晶体管Q6的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q6的源端与功率场效应晶体管Q9的漏端连接，功率场效应晶体管Q9的源端接地，电感L1的一端与功率场效应晶体管Q9的漏端连接，另一端分别与功率场效应晶体管Q8的漏端、电容C1的一端连接，电容C1的另一端分别与电阻R2的一端、功率场效应晶体管Q8的源端连接，电阻R2的另一端接地；所述前置放大处理电路包括输入端口INa，输入端口INb,输出端口Va，双向钳位二极管D2，3个二极管分别为D1、D3、D4，4个电阻分别为R1、R3、R2、R4，4个电容分别为C1、C2、C3、C4，4个电感分别为L1、L2、L3、L4，14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15，所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q1的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q1的源端与功率场效应晶体管Q8的漏端连接，二极管D1的负极与高电平VCC连接，二极管D1的正极分别与功率场效应晶体管Q12的栅极、功率场效应晶体管Q15的栅极、功率场效应晶体管Q3的源端、三极管Q7的基极、功率场效应晶体管Q14的漏端连接，功率场效应晶体管Q12的漏端分别与二极管D4的负极、功率场效应晶体管Q13的漏端、功率场效应晶体管Q2的源端、电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与三极管Q7的发射极连接；所述前置放大处理电路包括输入端口INa，输入端口INb,输出端口Va，双向钳位二极管D2，3个二极管分别为D1、D3、D4，4个电阻分别为R1、R3、R2、R4，4个电容分别为C1、C2、C3、C4，4个电感分别为L1、L2、L3、L4，14个功率场效应晶体管分别为Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14、Q15，所述前置放大处理电路中功率场效应晶体管Q12的源端与功率场效应晶体管Q15的漏端连接，功率场效应晶体管Q15的源端接地，二极管D4的正极接地，功率场效应晶体管Q2的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q13的源端接地，功率场效应晶体管Q3的漏端与高电平VCC连接，功率场效应晶体管Q14的源端接地，电容C4的一端与功率场效应晶体管Q3的漏端连接，另一端功率场效应晶体管Q14的源端连接，电阻R1的一端与高电平VCC连接，另一端与三极管Q7的集电极连接，输出端口Va与三极管Q7的发射极连接。

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