申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115475803B

主分类号：B08B7/00

分类号：B08B7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.01.03#实质审查的生效;2022.12.16#公开

摘要：本发明提供一种陷光结构制备方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，对当前加工行采用方形平顶光斑进行激光清洗处理；激光清洗处理完成后，采用圆形高斯光斑进行激光诱导加工；当前加工行为最后一个加工行时，在完成激光诱导加工后，采用方形平顶光斑对所有加工行进行激光清洗处理；其中，所述方形平顶光斑能量密度为所述圆形高斯光斑能量密度的120～215。本发明提供的陷光结构制备方法，能够通过激光清洗处理过程去除当前加工行的杂质堆积，降低对待处理材料的保护需求，减少危险化工物品的使用。

主权项：1.一种陷光结构制备方法，其特征在于，包括：当前加工行不是第一条加工行时，对当前加工行采用方形平顶光斑进行激光清洗处理；激光清洗处理完成后，采用圆形高斯光斑对当前行进行激光诱导加工；当前加工行为最后一个加工行时，在完成激光诱导加工后，采用方形平顶光斑对所有加工行进行激光清洗处理；其中，所述方形平顶光斑能量密度为所述圆形高斯光斑能量密度的120~215。

全文数据：

权利要求：

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