申请/专利权人：中子高新技术产业发展(重庆)有限公司

申请日：2023-03-06

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN116386925B

主分类号：G21G1/02

分类号：G21G1/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.07.21#实质审查的生效;2023.07.04#公开

摘要：本发明涉及同位素生产技术领域，具体提供一种加速器驱动的液态次临界同位素生产系统，解决现有中子能量较高、能谱不均匀，使得同位素产量较低的问题。本发明的加速器驱动的液态次临界同位素生产系统包括反射层组件、容器和加速器，其中，反射层组件的内部形成有容留腔，在容留腔的内部注有第一溶液，该第一溶液为重水和铀盐溶液的混合物，容器设置于容留腔的内部，在容器的内部注有重水，加速器的下部插于反射层组件的第一通道并延伸至容器的内部并被重水浸泡产生反应以生产中子，中子和容留腔内的铀盐溶液发生核反应，以便中子能量降低，生产同位素，同时容留腔内的重水对中子发生慢化反应，能谱慢化均匀，因此可提高同位素的产量。

主权项：1.一种加速器驱动的液态次临界同位素生产系统，其特征在于，所述系统包括反射层组件、容器和加速器；所述反射层组件的内部形成有容留腔，所述容留腔的内部注有第一溶液，其为重水和铀盐溶液的混合物；所述容器设置于所述容留腔的内部，所述容器的内部注有重水；所述加速器的下部插于所述反射层组件的第一通道并延伸至所述容器的内部并被所述容器内的重水浸泡产生反应以生产中子，所述中子和所述第一溶液发生核反应和慢化反应，以生产同位素；所述系统还包括调合组件，其包括调合箱、第一管道和第一电磁阀；所述第一管道的一端和所述调合箱连通，所述第一管道的另一端插于所述反射层组件的第二通道并和所述容留腔连通，所述第一电磁阀安装于所述第一管道上；所述系统还包括同位素提取组件，其用于提取同位素，所述同位素提取组件包括同位素提取器、第二管道、第三管道和第二电磁阀；所述第二管道的一端和所述同位素提取器连通，所述第二管道的另一端插于所述反射层组件的第三通道并延伸至所述容留腔的内底部，用于吸入掺杂同位素的所述第一溶液进入同位素提取器；所述同位素提取器和合成模块连通，用于对被分离出的所述同位素进行加工；所述第三管道的一端和所述同位素提取器连通，所述第三管道的另一端和所述调合箱连通，用于输送被分离出的所述第一溶液进入所述调合箱，所述第二电磁阀安装在所述第三管道上。

全文数据：

权利要求：

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