申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737692A

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44;C23C16/52;H01J37/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种温度控制系统，用于化学气相沉积设备，所述设备包含一反应室，所述反应室内设有用于放置基片的基座，所述基片包括一中心区域，和环绕所述中心区域设置的边缘区域，所述边缘区域包括多个方位角不同的边缘控温区域，所述系统包含：多个加热元件，分别独立地加热所述中心区域和所述边缘控温区域；多个第一测温仪，分别用于测量中心区域和边缘控温区域的温度；控制器，其存储有温度控制模型；所述温度控制模型被配置为基于反应室内沉积工艺的工艺参数和多个第一测温仪测量的温度值，独立控制所述中心区域和所述边缘控温区域对应的各加热元件的功率，实现基片表面温度分布均匀。本发明还提供一种化学气相沉积设备及一种温度控制方法。

主权项：1.一种温度控制系统，用于化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包含一反应室，所述反应室内设有用于放置基片的基座，其特征在于，所述基片包括一中心区域，和环绕所述中心区域设置的边缘区域，所述边缘区域包括多个方位角不同的边缘控温区域，所述系统包含：多个加热元件，通过所述多个加热元件分别独立地加热所述中心区域和所述边缘控温区域；多个第一测温仪，通过所述多个第一测温仪分别测量所述中心区域和所述边缘控温区域的温度；控制器，其存储有温度控制模型；所述温度控制模型被配置为基于反应室内沉积工艺的工艺参数和多个第一测温仪测量的温度值，独立控制所述中心区域和所述边缘控温区域对应的各加热元件的功率，实现基片表面温度分布均匀。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种温度控制系统、化学气相沉积设备及方法

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