申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742436A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：["20220922 US 17/950,276"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本申请公开增益和温度容限带隙电压基准。带隙电路200及其元件的示例能够生成不受低电流增益影响的准确稳定的带隙基准电压VBG。示例电路包括：第一和第二输入晶体管M3和M4，各自具有接收尾电流I4的发射极；第一和第二核心晶体管M1和M2，各自的集电极耦合到接地226；第一下分支262，其在耦合到第一输入晶体管M3的基极的第一电流输入处耦合在第一上分支246与第一核心晶体管M1的发射极之间；第二下分支264，其在耦合到第二输入晶体管M4的基极的第二电流输入处耦合在第二上分支248与第二核心晶体管M2的发射极之间；和基极电阻器268，其耦合在第一核心晶体管M1的基极与集电极之间。输入晶体管对M3和M4具有与核心晶体管对M1和M2的电流密度比相同的电流密度比。

主权项：1.一种电路，其包括：输入电路系统，其包括：尾电流晶体管，以及第一输入晶体管和第二输入晶体管，其各自具有耦合到所述尾电流晶体管的电流端子，其中所述第二输入晶体管与所述第一输入晶体管的电流密度比是N；以及主电路系统，其包括：第一核心晶体管，其具有第一电流端子、第二电流端子和控制端子，所述第二电流端子耦合到基准节点，第二核心晶体管，其具有第一电流端子、第二电流端子和控制端子，所述第二电流端子耦合到所述基准节点，其中所述第二核心晶体管与所述第一核心晶体管的电流密度比是N，第一上分支和第一下分支，所述第一下分支耦合在所述第一上分支与所述第一核心晶体管的所述第一电流端子之间，所述第一上分支与所述第一下分支之间的耦合限定耦合到所述第一输入晶体管的控制端子的第一电流输入，第二上分支和第二下分支，所述第二下分支耦合在所述第二上分支与所述第二核心晶体管的所述第一电流端子之间，所述第二上分支与所述第二下分支之间的耦合限定耦合到所述第二输入晶体管的控制端子的第二电流输入，以及基极电阻元件，其耦合在所述第一核心晶体管的所述控制端子与所述第一核心晶体管的所述第二电流端子之间，其中N是大于1的整数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 增益和温度容限带隙电压基准

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