申请/专利权人：吉林大学

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117749139A

主分类号：H03K3/57

分类号：H03K3/57;G01S7/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于探地雷达技术领域，为一种探地雷达高功率高斯单周波脉冲发生器，该发生器包括Marx电路和脉冲整形网络，所述Marx电路和脉冲整形网络通过SMA连接器相连，所述Marx电路用于产生高幅度的高斯脉冲，脉冲整形网络用于将Marx电路输出的单极性的高斯脉冲整形成双极性的高斯单周波，其中，Marx电路包括6级雪崩晶体管Q1~Q6和6级储能电容C1~C6，本发明解决了传统高斯脉冲发生器由于能量利用率低、振铃严重而导致探地雷达性能被限制的问题，提高了地下目标分辨率。

主权项：1.一种探地雷达高功率高斯单周波脉冲发生器，其特征在于，该发生器包括Marx电路和脉冲整形网络，所述Marx电路和脉冲整形网络通过SMA连接器相连，所述Marx电路用于产生高幅度的高斯脉冲，脉冲整形网络用于将Marx电路输出的单极性的高斯脉冲整形成双极性的高斯单周波；其中，Marx电路包括6级雪崩晶体管Q1~Q6和6级储能电容C1~C6，在第1级的雪崩晶体管基极处，利用电容Cb和电阻Rb构成一个触发电路，与第1级的雪崩晶体管Q1的基极相连；触发信号通过标准的SMA连接器输入，当触发信号到来时，触发信号经过第1级的雪崩晶体管Q1基极处的电容Cb和电阻Rb产生窄脉冲，触发Marx电路中的雪崩晶体管Q1~Q6逐级导通；第1级的雪崩晶体管Q1的集电极通过限流电阻R11与高压电源VCC相连接，第1级的雪崩晶体管Q1的发射极与电路的地相连，第1级的雪崩晶体管Q1的集电极通过微带传输线TL11与储能电容C1相连，储能电容C1通过微带传输线TL21与第2级晶体管Q2的基极相连；第2级的雪崩晶体管Q2的基极与发射极相连，第2级的雪崩晶体管Q2的发射极通过限流电阻R21与电路的地相连，第2级的雪崩晶体管Q2的集电极通过限流电阻R12与高压电源VCC相连接，第2级的雪崩晶体管Q2的集电极通过微带传输线TL12与储能电容C2相连，储能电容C2通过微带传输线TL22与第3级的雪崩晶体管Q3的基极相连；第3级的雪崩晶体管Q3的基极与发射极相连，第3级的雪崩晶体管Q3的发射极通过限流电阻R22与电路的地相连，第3级的雪崩晶体管Q3的集电极通过限流电阻R13与高压电源VCC相连接，，第3级的雪崩晶体管Q3的集电极通过微带传输线TL13与储能电容C3相连，储能电容C3通过微带传输线TL23与第4级的雪崩晶体管Q4的基极相连；第4级的雪崩晶体管Q4的基极与发射极相连，第4级的雪崩晶体管Q4的发射极通过限流电阻R23与电路的地相连，第4级的雪崩晶体管Q4的集电极通过限流电阻R14与高压电源VCC相连接，第4级的雪崩晶体管Q4的集电极通过微带传输线TL14与储能电容C4相连，储能电容C4通过微带传输线TL24与第5级的雪崩晶体管Q5的基极相连；第5级的雪崩晶体管Q5的基极与发射极相连，第5级的雪崩晶体管Q5的发射极通过限流电阻R24与电路的地相连，第5级的雪崩晶体管Q5的集电极通过限流电阻R15与高压电源VCC相连接，第5级的雪崩晶体管Q5的集电极通过微带传输线TL15与储能电容C5相连，储能电容C5通过微带传输线TL25与第6级的雪崩晶体管Q6的基极相连；第6级的雪崩晶体管Q6的基极与发射极相连，第6级的雪崩晶体管Q6的发射极通过限流电阻R25与电路的地相连，第6级的雪崩晶体管Q6的集电极通过限流电阻R16与高压电源VCC相连接，第6级的雪崩晶体管Q6的集电极通过微带传输线TL16与储能电容C6相连，储能电容C6通过微带传输线TL26与电路的地通过负载电阻RL相连，其中储能电容C6为末端电容，电容容量小于储能电容C1~C5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 吉林大学 一种探地雷达高功率高斯单周波脉冲发生器

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