申请/专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司

申请日：2023-11-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735556A

主分类号：C01B33/037

分类号：C01B33/037

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体地说，涉及一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法。包括：沉降：将废砂浆进行沉降使其固‑液相分离；二次溶解：沉降得到的固相用稀酸溶液进行第二次溶解；二次沉降：对二次溶解后的溶液进行第二次沉降使其固‑液相分离；三次溶解：二次沉降得到的固相再用去离子水进行第三次溶解；三次沉降：对三次溶解后的溶液进行第三次沉降使其固‑液相分离；粉化：三次沉降得到的固相通过干燥和研磨再次粉化。本发明设计的方法操作简便、设计合理，可以有效地去除循环使用砂浆中的各种重金属，有效避免喷砂工艺对硅片的金属沾污，极大地降低了喷砂工序的生产成本。

主权项：1.一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、沉降：将废砂浆进行沉降使其固-液相分离；S2、二次溶解：沉降得到的固相用稀酸溶液进行第二次溶解；S3、二次沉降：对二次溶解后的溶液进行第二次沉降使其固-液相分离；S4、三次溶解：二次沉降得到的固相再用去离子水进行第三次溶解；S5、三次沉降：对三次溶解后的溶液进行第三次沉降使其固-液相分离；S6、粉化：三次沉降得到的固相通过干燥和研磨再次粉化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江海纳半导体股份有限公司 一种用于硅片背损伤砂浆中的金属净化方法

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