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【发明公布】基于SOT-MTJ的逻辑运算单元和实现逻辑运算方法_中国科学院微电子研究所_202311745614.8 

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

申请日:2023-12-18

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117746939A

主分类号:G11C11/16

分类号:G11C11/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本公开提供了一种基于SOT‑MTJ的逻辑运算单元和实现逻辑运算方法,该单元包括:公共底电极以及多个磁性隧道结,每个磁性隧道结至少包括自由层、绝缘层、参考层以及顶电极;每个顶电极均接入一个对应的调控电压,以调控磁性隧道结的翻转电压阈值;公共底电极的一端接入第一输入电压,公共底电极的另一端接入第二输入电压,第一输入电压和第二输入电压之间的差值形成输入电压,以根据输入电压的大小和翻转电压阈值调整磁性隧道结的阻态。本公开通过具有公共底电极的多个磁性隧道结所组成的逻辑运算单元,实现SOT‑MTJ器件的高密度集成,并在公共底电极的输入电压写入情况配合调控电压的写入即可实现多种类型的逻辑运算。

主权项:1.一种基于自旋轨道矩磁性隧道结SOT-MTJ的逻辑运算单元,其特征在于,包括:公共底电极以及在所述公共底电极表面上的多个磁性隧道结,每个所述磁性隧道结至少包括在所述公共底电极表面上依次制备的自由层、绝缘层、参考层以及顶电极;其中,每个所述顶电极均接入一个对应的调控电压,以调控磁性隧道结的翻转电压阈值;所述公共底电极的一端接入第一输入电压,所述公共底电极的另一端接入第二输入电压,所述第一输入电压和所述第二输入电压之间的差值形成输入电压,以根据所述输入电压的大小和所述翻转电压阈值调整所述磁性隧道结的阻态。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院微电子研究所 基于SOT-MTJ的逻辑运算单元和实现逻辑运算方法

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