申请/专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司

申请日：2024-02-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737687A

主分类号：C23C16/14

分类号：C23C16/14;C23C16/455

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种用于钨沉积设备的混气结构及混气方法，混气结构包括双套管进气结构、还原性气体缓存腔、预混腔、混合腔及冷却腔；双套管进气结构内侧套管为金属沉积前驱物进气管道，外侧套管为还原性气体进气管道，金属沉积前驱物进气管道出口收缩后与预混腔连通，还原性气体进气管道与还原性气体缓存腔连通，预混腔位于还原性气体缓存腔内下部，预混腔底端与混合腔连通；冷却腔将双套管进气结构下部、还原性气体缓存腔、混合腔包裹在内进行冷却；还原性气体缓存腔内的还原性气体沿预混腔环周切线方向进气，与预混腔内的金属沉积前驱物正交预混、螺旋下推进入混合腔。本发明混气均匀，同时能够避免颗粒物污染。

主权项：1.一种用于钨沉积设备的混气结构，其特征在于，包括双套管进气结构、还原性气体缓存腔、预混腔、混合腔及冷却腔；所述双套管进气结构内侧套管为金属沉积前驱物进气管道，外侧套管为还原性气体进气管道，所述金属沉积前驱物进气管道出口收缩后与预混腔连通，还原性气体进气管道与还原性气体缓存腔连通，所述预混腔位于还原性气体缓存腔内下部，所述预混腔底端与混合腔连通；所述冷却腔将双套管进气结构下部、还原性气体缓存腔、混合腔包裹在内进行冷却；所述还原性气体缓存腔内的还原性气体沿所述预混腔环周切线方向进气，与预混腔内的金属沉积前驱物正交预混、螺旋下推进入混合腔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海谙邦半导体设备有限公司 一种用于钨沉积设备的混气结构及混气方法

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