申请/专利权人：九仙尊霍山石斛股份有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117730778A

主分类号：A01H4/00

分类号：A01H4/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法，属于石斛培育技术领域。培养方法包括以下步骤：1培养室建设：选择一个室内房间作为培养室，培养室内设置有培养架、中央空调和温湿度及光照控制系统；培养架设置为多层，自上而下分别为原球茎层、小苗层、播种层、中苗层、大苗层2播种3原球茎培养4小苗培养5中苗培养6大苗培养。有益效果：有利于合理利用电源能源、降低生产成本针对性强，科学合理的培养霍山石斛苗的各阶段生长，极大提高了霍山石斛的培育效率。

主权项：1.一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法，其特征在于，包括以下步骤：1培养室建设：选择一个室内房间作为培养室，培养室内设置有培养架、中央空调和温湿度及光照控制系统；培养架设置为多层，自上而下分别为原球茎层、小苗层、播种层、中苗层、大苗层；2播种：将霍山石斛种子播种，在暗光下培养，控制光照强度为50～200lux并进行遮光处理，培养温度控制在25～27℃，培养时间为30～40d，得到原球茎；所述原球茎的形态为种子萌发变绿刚开始冒出牙尖；3原球茎培养：将得到的原球茎转移至原球茎层，控制光照强度为1300～1500lux，培养温度控制在24～25℃，培养时间为50～60d，获得石斛小苗；所述石斛小苗的形态为具有2～4片叶、1～2㎝高、无根或有短根；4小苗培养：将石斛小苗转移至小苗层，控制光照强度为1600～1900lux，培养温度控制在23～24℃，培养时间为50～60d，获得石斛中苗；所述石斛中苗的形态为具有4～6片叶、3～5㎝高、根长1㎝以上；5中苗培养：将石斛中苗转移至中苗层，控制光照强度为2000～2500lux，培养温度控制在22～23℃，培养时间为60～80d，获得石斛大苗；所述石斛大苗的形态为具有4～8片叶、5～7㎝高、根有2㎝以上；6大苗培养：将石斛大苗转移至大苗层，控制光照强度为2500～3000lux，培养温度控制在22～23℃，培养时间为80～100d，获得石斛成苗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 九仙尊霍山石斛股份有限公司 一种霍山石斛组培瓶苗的培育方法

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