申请/专利权人：张江国家实验室

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117746946A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;G11C7/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。

主权项：1.一种RRAM读取电路，其特征在于，包括：参考电阻；开关模块，该开关模块的一侧与所述参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对所述参考电阻及所述RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制；自偏置模块，该自偏置模块的一侧与所述开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对该自偏置模块与所述开关模块之间的节点的电压进行钳位；交叉耦合模块，该交叉耦合模块的一侧与所述自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压；预充电模块，该预充电模块与所述交叉耦合模块的另一侧连接，用于对所述RRAM读取电路进行预充电；以及输出模块，该输出模块与所述交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由所述交叉耦合模块放大得到的所述比较电压进行比较，并输出比较结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 张江国家实验室 RRAM读取电路以及RRAM读取电路的读取方法

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