买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种HEMT接触孔结构及其制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202211116949.9 

申请/专利权人:华润微电子(重庆)有限公司

申请日:2022-09-14

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117747420A

主分类号:H01L21/28

分类号:H01L21/28;H01L21/768;H01L21/335;H01L23/538;H01L29/417;H01L29/778

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明提供一种HEMT接触孔结构及其制备方法,该HEMT接触孔结构包括衬底、衬底、缓冲层、沟道层、势垒层及接触孔,其中,缓冲层位于衬底的上表面;沟道层位于缓冲层的上表面;势垒层位于沟道层的上表面;多个间隔设置的接触孔嵌于势垒层中,接触孔包括上孔部及下孔部,下孔部的底面呈凹角状,下孔部的凹角尖端与沟道层的上表面间隔第二预设距离,接触孔的底面与沟道层的上表面所在的水平面呈预设角度。本发明通过形成侧壁倾斜及底面呈凹角状的接触孔,便于去除刻蚀接触孔过程中产生的杂质,并使填充工艺弹性及可靠性更高,同时使接触孔底面的电场分布更加均匀,沟道层中更多的载流子参与隧穿到源极与漏极中,并降低器件整体的导通电阻。

主权项:1.一种HEMT接触孔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一半导体结构,所述半导体结构包括向上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层及介质层;于所述介质层的上表面形成图案化的光刻胶层,基于图案化的所述光刻胶层形成多个贯穿所述介质层且间隔设置的开口;基于所述开口刻蚀所述势垒层以得到位于所述势垒层中的上孔部,所述上孔部的底面与所述沟道层的上表面间隔第一预设距离;刻蚀所述上孔部底部的所述势垒层形成底面呈凹角状的下孔部,所述上孔部与所述下孔部组成接触孔,所述下孔部的凹角尖端与所述沟道层的上表面间隔第二预设距离,所述接触孔的底面与所述沟道层的上表面所在水平面之间呈预设角度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华润微电子(重庆)有限公司 一种HEMT接触孔结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。