申请/专利权人：北京中电科电子装备有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117733737A

主分类号：B24B55/02

分类号：B24B55/02;B24B29/02;B24B41/06;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，更具体地，涉及一种晶圆干式抛光的冷却结构、抛光装置以及冷却方法。冷却结构包括风刀，抛光盘的下表面包括研磨区域以及冷却区域，冷却区域位于研磨区域的外围，风刀横向延伸至冷却区域下方；风刀具有整体朝向冷却区域的吹风口，吹风口用于向冷却区域送风，起到了对冷却区域降温的作用。研磨区域整体降温，冷却面积大、而且冷却均匀，晶圆不容易产生个别点部烧伤现象，不需要预留研磨区域与晶圆的进气空间，这样抛光压力可选择范围大，较大的研磨压力可以提高抛光效率；抛光过程中向位于研磨区域外围的冷却区域吹气，无需向空间狭小的抛光接触点吹气。

主权项：1.一种晶圆干式抛光的冷却结构，其特征在于，包括：风刀，用于整体横向延伸至抛光盘的下方，所述抛光盘的下表面包括研磨区域以及冷却区域，所述研磨区域用于对晶圆的上表面进行干式抛光，所述冷却区域用于对所述研磨区域进行冷却，所述冷却区域位于所述研磨区域的外围，所述风刀横向延伸至所述冷却区域下方；其中，所述风刀具有整体朝向所述冷却区域的吹风口，所述风刀用于与外部的送风件连通，所述吹风口用于向所述冷却区域送风。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京中电科电子装备有限公司 晶圆干式抛光的冷却结构、抛光装置以及冷却方法

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