申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737710A

主分类号：C23C16/52

分类号：C23C16/52;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，包括：根据待要沉积薄膜的厚度，将待要沉积薄膜预计分为N次沉积，N为大于1的正整数；使用待检测的PECVD设备依次进行N次薄膜的沉积，每次沉积之前均通过气体管路排放一定时间的反应气体；量测多次沉积后的实际薄膜的厚度之和；计算实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内，如果不是，则认为PECVD设备的气体管路出现了堵塞，如果是，则认为PECVD设备的气体管路没有被堵塞。本发明可以检测PECVD设备的气体管路是否出现堵塞。

主权项：1.一种检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，所述PECVD设备包括腔体、气体供应装置和气体管路，所述腔体用于进行薄膜的沉积，所述气体供应装置用于向所述腔体提供薄膜沉积的反应气体，所述气体管路用于排放所述气体供应装置初始提供的反应气体，其特征在于，包括：根据待要沉积薄膜的厚度，将待要沉积薄膜预计分为N次沉积，N为大于1的正整数；使用待检测的PECVD设备依次进行N次薄膜的沉积，每次沉积之前均通过气体管路排放一定时间的反应气体；量测多次沉积后的实际薄膜的厚度之和；计算所述实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内，如果不是，则认为所述PECVD设备的气体管路出现了堵塞，如果是，则认为所述PECVD设备的气体管路没有被堵塞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 检测PECVD设备气体管路堵塞的方法

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