申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117732770A

主分类号：B08B3/02

分类号：B08B3/02;H01L21/02;B08B3/08;B08B13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成倒角加工的硅抛光片，进行碱腐蚀加工。第二步：碱腐蚀后的硅抛光片洗净后，进行边缘抛光。第三步：进行正面抛光后，进行单面洗净，洗净的药液为SC1溶液和HF溶液，硅抛光片分别在SC1清洗槽和HF清洗槽内进行清洗。第四步：单面洗净后硅抛光片进行纯水喷淋并完成氮气加热烘干过程。第五步：进行表面金属测试。具有操作便捷、效果好、省时省力和质量稳定性好的特点。解决了硅抛光片的边缘很容易引入金属杂质污染的问题。避免硅抛光片表面金属含量超标而导致产品不合格的情况。

主权项：1.一种改善硅抛光片边缘金属污染的加工方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：对完成倒角加工的硅抛光片，进行碱腐蚀加工；第二步：碱腐蚀后的硅抛光片洗净后，进行边缘抛光，加工时间3～4min，使硅抛光片边缘抛光充分，完全去除可能引入的金属杂质污染；第三步：进行正面抛光2～4min后，进行单面洗净，洗净时间为1～3min，洗净的药液为SC1溶液和HF溶液，硅抛光片分别在SC1清洗槽和HF清洗槽内进行清洗；第四步：单面洗净后硅抛光片进行纯水喷淋并完成氮气加热烘干过程；第五步：进行表面金属测试，确保硅抛光片金属杂质得到了有效控制。

全文数据：

权利要求：

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