申请/专利权人:晶澳太阳能有限公司
申请日:2023-12-29
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117747680A
主分类号:H01L31/0216
分类号:H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0236
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要:本申请提供一种隧穿氧化层钝化接触电池及其的制备方法。本申请提供的隧穿氧化层钝化接触电池包括:硅衬底,隧穿钝化接触结构,设置于硅衬底上,包括隧穿氧化层和设置于隧穿氧化层背向硅衬底一侧的磷掺杂多晶硅层;磷硅玻璃层,设置于隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层之间,用于阻止磷掺杂多晶硅层中的磷原子扩散入隧穿氧化层。本申请第一方面中磷硅玻璃层设置保证了隧穿氧化层的质量且提高磷掺杂多晶硅层中磷掺杂浓度,改善填充因子提高电池转化效率,优化了电池导电性能。
主权项:1.一种隧穿氧化层钝化接触电池,其特征在于,包括:硅衬底,隧穿钝化接触结构,设置于所述硅衬底上,包括隧穿氧化层和设置于所述隧穿氧化层背向所述硅衬底一侧的磷掺杂多晶硅层;磷硅玻璃层,设置于所述隧穿氧化层和所述磷掺杂多晶硅层之间,用于阻止所述磷掺杂多晶硅层中的磷原子扩散入所述隧穿氧化层。
全文数据:
权利要求:
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