申请/专利权人：广州先进技术研究所

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737661A

主分类号：C23C14/28

分类号：C23C14/28;C23C14/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种可稳定极化的铁电‑介电薄膜及其制备方法。所述可稳定极化的铁电‑介电薄膜包括基底层、以及在基底层上依次生长的底电极和功能层；所述功能层是基于所述底电极层生长的第一SrTiO3介电层‑PbZrTiO3铁电层‑第二SrTiO3介电层薄膜。本发明通过在铁电层PbZrTiO3上层和下层中插入介电层SrTiO3沉积的方式，使得制备的铁电‑介电薄膜具有可稳定极化的铁电性能，有望使其应用于航天器电子元件等应用领域。

主权项：1.一种可稳定极化的铁电-介电薄膜，其特征在于，包括：基底层，以及在所述基底层上依次生长的底电极层和功能层；所述功能层是基于所述底电极层生长的第一SrTiO3介电层、PbZrTiO3铁电层和第二SrTiO3介电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州先进技术研究所 一种可稳定极化的铁电-介电薄膜及其制备方法

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