申请/专利权人：西安众力为半导体科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117741252A

主分类号：G01R27/08

分类号：G01R27/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于功率器件测试技术领域，尤其为GaNHEMT软开关动态电阻测量电路，包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM信号模块、PWM1信号模块、差分探头、电流探头、滤波电感L、负载电容CO以及负载；通过直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM信号、PWM1信号、差分探头、电流探头、滤波电感L、负载电容CO以及负载组合成一种在低压时GaNHEMT软开关动态电阻测量电路，该测试方案电路可以测试GaNHEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景；另外该测量电路对直流电源、驱动芯片、辅助开关、滤波电感以及负载均提出了适用测试的范围，对于在实际应用条件下的GaNHEMT软开关测试有开创性的作用。

主权项：1.GaNHEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于，包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM信号模块、PWM1信号模块、差分探头、电流探头、滤波电感L、负载电容CO以及负载；负载旁连接有负载电容CO，而负载及负载电容CO的一端连接有滤波电感L，而待测器件Q2源极经过一侧的电流探头之后与直流电源负极和负载及负载电容CO相连接，待测器件Q2布设在电流探头与滤波电感L之间，且待测器件Q2的漏极和源极直接连接差分探头，待测器件Q2的栅极连接有半桥驱动芯片，半桥驱动芯片一侧连接有辅助开关Q1，其中辅助开关Q1与电流探头之间连接有直流电源，且半桥驱动芯片旁连接设有PWM信号模块和PWM1信号模块，用于输出PWM信号PWM1信号至半桥驱动芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安众力为半导体科技有限公司 GaN HEMT软开关动态电阻测量电路

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